យោងតាមកាសែត Korea Herald ក្រុមហ៊ុន Samsung កំពុងជាប់បណ្តឹងថ្មីមួយពីវិទ្យាស្ថានបច្ចេកវិជ្ជា និងវិទ្យាសាស្រ្តជាន់ខ្ពស់កូរ៉េ KAIST ដែលមានមូលដ្ឋាននៅសហរដ្ឋអាមេរិក ទាក់ទិនទៅនឹងការរំលោភលើប្រកាសនីយប័ត្របច្ចេកវិជ្ជា FinFET សម្រាប់បំពាក់លើ Galaxy S8។

របាយការណ៍អះអាងថា KAIST បានអភិវឌ្ឍបច្ចេកវិជ្ជាត្រង់ស៊ីស្ទ័រ 3D សម្រាប់ប្រើក្នុងការរចនាអង្គប្រតិបត្តិជំនាន់ថ្មីៗ ឬហៅកាត់ថា FinFET ហើយ Samsung បានលួចយកវាទៅប្រើនៅពេលដែលក្រុមហ៊ុនអញ្ជើញលោក Lee Jong-ho ដែលជាអ្នកអភិវឌ្ឍ FinFET និងជាសាស្រ្តាចារ្យនៃសកលវិទ្យាល័យជាតិក្រុងសេអ៊ុល ដែលជាដៃគូរបស់វិទ្យាស្ថាន ទៅធ្វើបទបង្ហាញមួយអំពីបច្ចេកវិជ្ជានេះ ទៅដល់ក្រុមវិស្វកររបស់ខ្លួន។

គួរបញ្ជាក់ថា Intel ក៏កំពុងប្រើបច្ចេកវិជ្ជានេះដែរ ប៉ុន្តែ ក្រុមហ៊ុនមានអាជ្ញាបណ្ណត្រឹមត្រូវពីវិទ្យាស្ថាន ខុសពីក្រុមហ៊ុន Samsung ដែលមិនមាន៕

ប្រភពព័ត៌មាន៖ sammobile